# 大功率LED制造中的关键科学问题
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## 成果概要
- **技术领域**：先进制造与自动化
- **成果类型**：技术成果
- **登记年份**：2022
- **持有机构**：华中科技大学
- **所在地区**：湖北省 武汉
- **来源平台**：郑州技术交易市场

## 成果介绍
大功率LED制造中的关键科学问题是华中科技大学在先进制造与自动化领域的科技成果转化项目。 根据国家自然科学基金委员会《资助项目计划书》的研究内容要求，该项目组从创建适用于大功率LED制造过程的多尺度多物理场耦合建模方法和理论出发，通过对LED制造过程中关键工艺(如外延生长，封装过程中掺荧光粉硅胶的流变和固化，器件快速可靠性评估等)的剖析，利用精确建模仿真研究不同尺度下多物理量(如变形、应力、流体、温度、光等)共同作用对LED制造缺陷的形成、扩展与器件性能的影响机理，定量分析制造过程中材料、结构和工艺因素对LED器件行为的影响机制，以及各制造工艺之间的相互关系，实现对LED制造过程的优化设计与控制。整个项目围绕“多尺度多物理场建模方法”、“MOCVD反应腔设计与外延生长”、“LED芯片设计与制造”、“LED可靠性”和“大功率LED封装与应用”中的关键技术及其技术基础，从五个方面开展了全面而深入的研究。多尺度多物理场方面，将CPMD与多物理场有限元分析软件集成，在同一个交互界面下调用CPMD和有限元软件，基本实现CPMD与有限元分析结果间的数据传递，实现在交互界面下的模拟参数修改；建立了大功率LED制造中的多尺度多物理场耦合方法与理论。在外延生长方面，通过第一性原理分子动力学CPMD对氮化镓基LED外延生长表面微观机制进行计算分析，根据理论分析结果设计了一种缓冲分布式MOCVD反应腔结构，可以得到高质量的氮化镓基外延片。在芯片设计和制造方面，基于薛定谔方程和泊松方程的自洽解，系统分析了LED芯片电流扩展的基本情况，总结出LED芯片电极设计的一些基本原则；基于蒙特卡罗光线追迹方法，分析了正装、倒装和垂直结构三种典型LED芯片的取光效率及其潜力，以及四种提高LED芯片取光效率的有效途径。在LED可靠性方面，测试了荧光粉层热导率，揭示了温度和湿度对荧光粉层衰减的影响规律；提出了一种LED高温高湿可靠性试验模型，理论结合实验分析评估了影响LED可靠性的相关因素。 该技术面向武汉及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

## 应用场景
适用于先进制造与自动化相关行业的企业技术升级、新产品开发与产学研合作，帮助武汉及周边企业快速获取高校院所科研成果并推动产业化落地。

## 对接方式
企业可通过办厂易平台对接该技术成果，认证技术经纪人 1 对 1 服务，技改政策与创新券同步匹配。服务热线 18013759055，或进入[找技术频道](https://www.banchangyi.com/tech)浏览更多成果。
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