# 垂直结构GaN基LED
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## 成果概要
- **技术领域**：电子信息
- **成果类型**：技术成果
- **登记年份**：2022
- **持有机构**：中国科学院半导体研究所
- **所在地区**：北京市 北京
- **来源平台**：郑州技术交易市场

## 成果介绍
垂直结构GaN基LED是中国科学院半导体研究所在电子信息领域的科技成果转化项目。 一、项目背景       随着LED在照明领域的逐步应用，市场对白光LED光效的要求越来越高，同时价格也成为LED能否迅速得到推广的关键因素，市场急需要高性价比的LED产品。GaN基垂直结构LED具有良好的散热能力，能够承受大电流注入，这样一个垂直结构LED芯片可以相当于几个正装结构芯片，折合成本只有正装结构的几分之一。因此，GaN基垂直结构LED是市场所向，是半导体照明发展的必然趋势。 二、项目简介       垂直结构GaN基LED是目前半导体照明芯片的研究热点和未来可能应用于通用照明的主流芯片结构。与传统正装、倒装结构比较，垂直结构通过热压键合、激光剥离（LLO）等工艺，将GaN外延结构从蓝宝石转移到Cu、Si等具有良好电、热传导特性的衬底材料上，器件电极上下垂直分布，从而彻底解决了正装、倒装结构GaN基LED器件中因为电极平面分布、电流侧向注入导致的诸如散热，电流分布不均匀、可靠性等一系列问题。因此，垂直结构也被称为是继正装、倒装之后的第三代GaN基LED器件结构，很有可能取代现有的器件结构而成为GaN基LED技术主流。        技术特点：        本项目的目的是提供一种发光二极管器件结构，该结构相比传统的横向结构，采用导热性能高的衬底，大大提高散热能力，使用寿命上升；该结构的LED具有上下电极结构，能将注入电流比较均匀地散布在发光区；该结构的LED上表面容易制作表面光提取结构，有利于提高取光效率。        在350mA下工作电压达到2.8V,-5V条件下反向漏电2-3nA，IR良品率达到85%以上，效率100lm/w。器件的脉冲饱和测试电流能超过4A，稳态饱和电流超过2A。同时由于金属衬底具有更好的散热特性，垂直结构芯片1000mA条件下1500小时老化测试，光通量衰减小于5%。 合作方式：技术许可,面议。 该技术面向北京及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

## 应用场景
适用于电子信息相关行业的企业技术升级、新产品开发与产学研合作，帮助北京及周边企业快速获取高校院所科研成果并推动产业化落地。

## 对接方式
企业可通过办厂易平台对接该技术成果，认证技术经纪人 1 对 1 服务，技改政策与创新券同步匹配。服务热线 18013759055，或进入[找技术频道](https://www.banchangyi.com/tech)浏览更多成果。
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