# 埋入式SiC功率模块
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## 成果概要
- **技术领域**：集成电路/功率半导体
- **成熟度**：拟转化阶段（详见来源页）
- **持有机构**：浙江大学杭州国际科创中心
- **所在地区**：浙江省 浙江省杭州市
- **来源平台**：浙江大学杭州国际科创中心 https://hic.zju.edu.cn/

## 成果介绍
为发挥SiC MOSFET高频高温特性，研发芯片面朝下埋入式SiC功率模块，提升开关性能与散热效率（据中心名录）。 合作方式：技术转让/许可/合作推广（拟转化）

## 应用场景
新能源汽车、光伏逆变、工业传动等功率变换。

## 对接方式
企业可通过办厂易平台对接该技术成果，认证技术经纪人 1 对 1 服务，技改政策与创新券同步匹配。服务热线 18013759055，或进入[找技术频道](https://www.banchangyi.com/tech)浏览更多成果。
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- 内容更新时间：2026-10-23
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