集成电路/功率半导体
拟转化阶段（详见来源页）
埋入式SiC功率模块
完成单位：浙江大学杭州国际科创中心
所在地区：浙江省浙江省杭州市
技术亮点与转化解读
为发挥SiC MOSFET高频高温特性，研发芯片面朝下埋入式SiC功率模块，提升开关性能与散热效率（据中心名录）。 合作方式：技术转让/许可/合作推广（拟转化）
工业化应用场景
新能源汽车、光伏逆变、工业传动等功率变换。
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