集成电路/半导体材料
拟转化阶段（详见来源页）
8英寸50mm超厚碳化硅单晶
完成单位：浙江大学杭州国际科创中心
所在地区：浙江省浙江省杭州市
技术亮点与转化解读
创新提出提拉式物理气相传输法（PPVT），动态提拉籽晶及生长晶体，实现8英寸、50mm超厚SiC单晶生长（据中心名录）。 合作方式：技术转让/许可/合作推广（拟转化）
工业化应用场景
功率器件衬底、新能源与高压电力装备。
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