集成电路/第四代半导体
拟转化阶段(详见来源页)
8英寸(200mm)氧化镓晶圆衬底
完成单位:浙江大学杭州国际科创中心
所在地区:浙江省浙江省杭州市
技术亮点与转化解读
面向新能源、5G通信、高压电力需求,开发高击穿电场的第四代半导体氧化镓8英寸晶圆衬底(据中心名录)。 合作方式:技术转让/许可/合作推广(拟转化)
工业化应用场景
高压功率器件、射频器件。
面向新能源、5G通信、高压电力需求,开发高击穿电场的第四代半导体氧化镓8英寸晶圆衬底(据中心名录)。 合作方式:技术转让/许可/合作推广(拟转化)
高压功率器件、射频器件。
办厂易技术经纪人对接成果完成单位,协助核实技术参数、洽谈转让/许可/联合开发条件。