放电等离子体极紫外光刻光源关键物理及技术问题研究

放电等离子体极紫外光刻光源关键物理及技术问题研究是哈尔滨工业大学在先进制造与自动化领域的科技成果转化项目。 极紫外光刻(13.5nm为工作波长)是下一代实现更小刻线(32nm以下)的光刻技术之一。而实现极紫外光刻的关键取决于是否有符合应用标准的、适于工业生产的EUV光源。在各中EUV光源方案中，放电等离子体EUV光源有结构简单紧凑、尺寸小、效率高、投资及运营成本低等特点，是一种重要的EUV光源。此外，它还能够应用于辐射计量等实验室研究等领域。国际上有些技术参数尚保密的情况下，该课题组首先通过自己的理解、理论研究和计算，确定了装置的重要参数。在理论、实验相结合的研究过程中，不断加深对物理过程的理解，不断地改进实验方案和实验装置，最终在现有装置和环境尚存在着很多难以克服的困难下，实现了13.5nm辐射光输出，并通过深入的理论和实验研究，使装置基本达到了比较稳定的工作，同时获得了在现有装置下接近最佳的工作条件。此外，通过在Xe气中掺He等技术大幅提高了13.5nm辐射光功率。在国内技术空白的条件下，创新性思维研制了建造了重频1kHz毛细管放电极紫外光刻光源系统，独立设计、研制了全部的各单元部件，突破了国内相关技术空白。理论上，利用Cowan程序计算得到了Xe离子实现13.5nm辐射光输出的关键原子参数，并采用碰撞-辐射模型计算得到了Xe离子态分布与气压和电子温度的关系，二者结合模拟出了不同气压和电子温度条件下的辐射谱，为光谱分析和改进放电条件提供了理论指导。同时，采用磁流体力学模型计算了不同毛细管内径、放电电流和气压条件下毛细管内等离子体演变过程，指导改善放电条件，从而实现13.5nm辐射光输出的最佳实验条件。利用雪靶模型，模拟了等离子体压缩过程与放电电流、气压的关系，并与自制的极紫外探测器测量结果相比较，发现了毛细管放电过程中存在多次Z箍缩的物理过程。 合作方式：技术转让,面议。 该技术面向哈尔滨及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

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