无铅压电纳米阵列的可控生长及太赫兹波辐射探索

无铅压电纳米阵列的可控生长及太赫兹波辐射探索是湖北大学在新材料领域的科技成果转化项目。 采用水热合成、静电纺丝、电化学沉积和热氧化工艺实现了无铅压电纳米材料、半导体氧化物纳米线以及贵金属纳米阵列的可控制造，研究了纳米材料的微结构、物相、压电特性以及THz辐射特性，并初步探讨了压电纳米材料的生长机制，获得的主要结果如下：(1)采用磁控溅射和两步阳极氧化法制备了基于Si片的AAO模板，通过调整氧化电压和扩孔时间调整AAO模板的几何尺寸，获得了基于Si基片AAO模板的孔间距和孔径与氧化电压之间的关系；(2)采用溶胶-凝胶AAO模板法制备了无铅压电BNdT和KNN纳米管阵列，所制备的纳米管在轴向上均表现出明显的室温铁电压电性能，且适当的Nd3+离子掺杂能明显改善BIT的剩余极化强度及饱和极化强度；(3)利用脉冲电化学沉积工艺制备了贵金属Ag和Au纳米线阵列，比较了纯氧化铝膜和含氧化铝膜的Ag纳米线阵列对THz辐射特性的影响，发现Ag纳米线对THz增透表现出一定的频率响应和增透幅度；(4)在聚合物辅助水热生长条件下，采用水热法实现了KNN和KTN无铅压电一维纳米材料的取向生长，从热力学和动力学角度探讨了一维纳米材料的取向生长机制；(5)采用静电纺丝工艺制备了NBT及KNN纳米纤维，通过叉指电极的设计获得了绝缘衬底上平行排列的KNN纳米纤维，利用PDMS进行封装并组装成机电转换元件，研究了无铅压电KNN纳米纤维的机电转换特性；(6)以金属Nb箔片为衬底，通过调整热氧化工艺或水热合成工艺，分别实现了Nb2O5纳米线网络或纳米棒阵列的取向生长，并组装成Pt/Nb2O5纳米线氢敏元件，室温下对氢气表现出灵敏度高、响应速度快和选择性好的特性，并从理论上分析了室温氢敏的物理机制，表明Nb2O5纳米线网络或纳米棒阵列是一种很好的室温氢敏材料。 该技术面向北京及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

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