一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法

一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法是吉林大学在新材料领域的科技成果转化项目。 本发明涉及几种GaN 基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN 缓冲层和下限制层2、GaN 材料系多量子阱发光层3、p型GaN 上限制层4、p型InxGa1-xN 盖层5、上电极6，下电极7构成，特征在于：上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型InyGa1-yN 位相匹配层8，衬底1是n型SiC 单晶衬底，在衬底1下面制备一层ZnO 薄膜9或再制备一层ZnO 纳米线11 ，电极7只是覆盖5%~20% 面积制备在衬底1下面。 该技术面向长春及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

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