化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题

化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题是西北工业大学在新材料领域的科技成果转化项目。 该项目以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程为背景，将工程热物理的基本理论与晶体材料的制备过程联系起来，研究晶体生长过程中的传热、传质、对流及其耦合效应；掺杂、点缺陷及其沉淀相形成的热力学与动力学规律；位错、孪晶形成机制及其与其他缺陷的交互作用；晶体生长过程的热物理多场反问题监测与辨识理论；探索晶体组织的多尺度模型及数值求解方法。通过对上述理论问题的研究，建立材料制备过程的外场条件与材料内部结构、性质演变的对应规律。建立晶体生长过程优化设计的计算机虚拟实验方法，提出制备高性能Ⅱ-Ⅵ族化合物光电子材料制备过程的基本理论和系统规律，形成自主知识产权的关键技术，并为其他材料的制备加工提供借鉴和指导。该项目的研究将对相关高新技术和国防现代化建设具有重要意义，并推动工程热物理学科与材料学科的交叉和融合。 该技术面向西安及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

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