高浓度掺镁铌酸锂晶体Mg-LN

高浓度掺镁铌酸锂晶体Mg-LN是中电科技德清华莹电子有限公司在新材料领域的科技成果转化项目。 主要技术：1、优化的原料配方和制备：选用高纯物相均匀原料、采用二次烧结法制料，用碳酸镁代替氧化镁。2、晶体生长：电子模拟体，隔离控制信号，变幅度进相信号控径技术，机械式磁浮力消除技术，低的生长速度，大大降低了晶体内的生长条纹密度。晶体缺陷控制，特别是生长层和散射；连续加料晶体生长控制晶体组份技术。主要性能指标：晶体尺寸：80*40-60mm；生长轴向：X、Y、Z；掺杂浓度：5-6mol%，对应的居里温度1180-1200℃晶体内无可见生长条纹，无晶界，无开裂，无散射；光学均匀性：干涉条纹清晰，无毛刺，十字消光完整；杂质含量：Nb2O5，Li2CO3纯度大于99.995%，MgO或MgCO3纯度大于99.99%，过渡金属元素＜1.0ppm。高浓度掺镁铌酸锂晶体具有优良电光、非线性光学性能，它的抗光损伤能力较高，近年来，它的其他优异性能也逐渐被发现，如：常温矫顽场比较低，大大降低了微畴结构制作难度，用它制成的PPLN，在光参量振荡OPO，二次谐波倍频SHG，光波导OWG等应用方面具有较强的竞争力；另外，掺镁铌酸锂调Q电光开关具有宽使用温度范围，在-50℃-+50℃能稳定工作，是高精度激光测距仪较为理想材料。因此，掺镁铌酸锂晶体及相关器件的研究越来越受到重视，并成为开发热点，大尺寸优质晶体成为市场急需材料。该产品获得2006年国家重点新产品荣誉称号(证书号2006GRC20011)，获得2006年浙江省高新技术产品荣誉称号(证书号：200607045)，获得2006年浙江省科学技术奖二等奖(证书号：0602051)。产品在研制过程中申请了国家专利保护，专利授权号：ZL02260743.9。 合作方式：技术转让。 该技术面向北京及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

适用于新材料相关行业的企业技术升级、新产品开发与产学研合作，帮助北京及周边企业快速获取高校院所科研成果并推动产业化落地。