紫外LED

紫外LED是中国科学院半导体研究所在新能源与节能领域的科技成果转化项目。 一、项目背景 与GaN 基蓝光LED 相比，目前紫外LED 、尤其是波长短于300nm 的深紫外LED 的研发更加困难。紫外LED在生化探测、杀菌消毒、无线通讯等领域都有重大应用价值，因此，尽管紫外LED的研究充满挑战性，但是它依然吸引了美、日等国家和地区的众多研究机构。 二、项目简介 我们通过从能带计算、结构设计到外延优化的一系列创新性工作，实现了高质量高Al组分AlGaN材料的外延生长，在国内首次成功制备了300nm以下的深紫外LED器件，并提高了深紫外LED的发光效率，实现了器件的毫瓦级功率输出。在20mA电流下，室温连续输出功率大于2mW。 专利情况： 目前国际上在深紫外领域的专利布局还并未充分展开，主要是氮化镓蓝光LED的专利技术延伸，现有紫外技术专利以美国、日本居多，中国科学院半导体照明研发中心在紫外LED的材料和器件方面已申请了7项关键专利，预计近一两年内将会进一步申请10-20项核心专利，掌握专利布局主动权。 三、市场前景 深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领域有着广阔的市场前景，潜在市场规模可达数十亿美元。相比于目前传统紫外光源汞灯而言，不存在汞污染的环境问题，更加符合当今绿色环保的产业发展趋势，而且具备小巧轻便、低压低耗、易于调谐等优点。目前在杀菌消毒方面已有相关产品和市场应用，在医疗、生物、环境等领域的应用目前正在拓展中。 合作方式：技术转让,面议。 该技术面向北京及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

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