GaAs HBT相关集成电路辐照特性研究

GaAs HBT相关集成电路辐照特性研究是河南科技大学在电子信息领域的科技成果转化项目。 技术特点：对超高速集成电路提出辐照加固措施； 主要技术参数：实现10GHz以上的压控振荡器抗辐照性能>5 Mrad实 现30GHz以上的分频器抗辐照性能>3 Mrad 应用范围：可应用于航空航天、卫星探测等军民两用领域 市场前景：GaAs HBT工艺作为优于CMOS Si工艺的第二代半导体，已 广泛用于超高速抗辐照应用场合，开展GaAs HBT相关集成电路辐照 特性研究，可拓展GaAs HBT器件及相关集成电路辐照效应的研究深 度及实际应用范围。 成果详情 效益分析：集成电路行业的发展在政策上受到国家大力的支持，突 破集成电路产业的关键技术是今后三年电子信息产业调整和振兴的 三大任务之一；目前，国际先进集成电路企业将产能转移至国内的 趋势越来越明显，有利于国内集成电路企业的产品结构优化以及工 艺技术升级；国内5G网络的建设以及计算机、消费电子等产品的更 新换代将带动集成电路产品需求的增长。 该技术面向洛阳及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

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