大功率LED封装及热管理技术

大功率LED封装及热管理技术是天津大学在电子信息领域的科技成果转化项目。 采用纳米银焊膏的低温烧结技术，利用其纳米银低熔点的性能，使烧结温度降低到280℃，而烧结后银连接具有高熔点（960℃）、高导电和高导热性能，非常适合高温功率电子器件的长期可靠性运行。 以大功率1W LED芯片封装为例，测试表明对于三种热界面材料银浆(silver epoxy)，锡银铜焊膏(solder paste)，和钠米银焊膏（silver paste），由于钠米银焊膏的高导热性，在大电流下发光效率提高7~10%，说明散热效率提高，有效地降低了结温。目前课题组已完成25W的LED模块封装。 技术水平及专利与获奖情况： 获发明专利“以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率LED的方法”，发明专利ZL200610014157.5，授权日：2008.11.19。 该技术面向天津及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

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