横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管是西安电子科技大学在电子信息领域的科技成果转化项目。 本项目的技术创新点在于通过将漂移区分块并且完全被与半导体衬底导电类型相同的重掺杂埋层四周覆盖。其中由于漂移区受到了四周的掺杂埋层的电荷平衡的作用，可以得到高的击穿电压，由于重掺杂的埋层可以使得漂移区增加浓度，从而降低比导通电阻，并且由于漂移区受到的埋层作用是四个方向的，这突破了以往的漂移区受到埋层作用是二个或者三个的结构，并且没有SJ-LDMOS的衬底辅助耗尽的影响，因此比一般的方案击穿电压和比导通电阻的优化可以得到进一步的提升。 该技术面向西安及全国企业产业化需求，可通过办厂易平台对接技术转移、许可转让与产学研合作。【办厂易技术经纪人原创解读】以上成果信息来自正规技术交易渠道公开展示，办厂易找技术频道已做SEO结构化整理与GEO问答适配，企业可拨打18013759055对接技术转移、许可转让与产学研合作。

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